Comment retirer la gencive après une implantation ionique ?

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Quel est le rôle de l’implantation ionique dans le processus IC ?

L'implantation ionique consiste principalement en la formation de pièges (WELL), de déports faiblement dopés (LDD) et de régions fortement dopées (P+/N+).

2. Pourquoi la résine photosensible est-elle difficile à éliminer après l’implantation ionique ?

Lors de l'implantation ionique, la résine photosensible est bombardée d'ions à haute énergie, dont l'énergie peut rompre les liaisons chimiques dans la chaîne moléculaire de la résine photosensible, provoquant la réticulation de ces molécules pour former une structure chimique plus stable. Cette réticulation entraîne la formation d'une croûte dure à la surface de la résine photosensible, ce qui la rend plus difficile à éliminer.
3. Quelles sont les méthodes les plus efficaces pour éliminer la colle ?
La méthode de calcination au plasma O2 et de combinaison humide est adoptée. La surface de la coque dure de la résine photosensible peut être bombardée avec du plasma O2 pour exposer la résine photosensible « fraîche », puis la résine photosensible et les particules résultantes peuvent être éliminées avec du SPM et du RCA.

SPM : acide sulfurique concentré + peroxyde d'hydrogène ; RCA1 : ammoniac + peroxyde d'hydrogène ; RCA2 : acide chlorhydrique + peroxyde d'hydrogène

Bien entendu, il peut également être nettoyé avec de l'eau ozonée.

Cependant, le plasma O2 causera une petite quantité de dommages au silicium à la surface de la puce, et la perte de silicium n'est pas prise en compte dans le processus bas de gamme (nœud < 65 nm). Lorsque le processus haut de gamme est réalisé, il doit être complètement éliminé à l'aide du processus humide.

FIN